可控硅模塊裝置中產生過電流保護的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護措施有哪些？下面可控硅模塊廠家帶您一起來看下。可控硅調光模塊模塊產生出的過電流的原因有很多種，當變流裝置內部的結構元件損壞、控制或者觸發系統之間發生的一些故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高或過低或缺相、負載過載等原因，都會引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過正常的工作電流。由于可控硅模塊的過流比一般的電氣設備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過電流保護可控硅模塊的措施。可控硅調光模塊模塊裝置中采(cai)用(yong)的過電流(liu)保(bao)護(hu)措施   ;    

接下來可(ke)控硅生產廠家(jia)正高為(wei)大家(jia)詳細(xi)講(jiang)解一些可(ke)控硅模塊裝置(zhi)中可(ke)能(neng)采用的(de)4種過(guo)電流保(bao)護(hu)管(guan)理(li)措施：

1、交(jiao)(jiao)流進線串(chuan)接漏電阻大(da)的整流變壓器，利用短路電流受(shou)電抗限制，但(dan)交(jiao)(jiao)流電流大(da)時(shi)會存在(zai)交(jiao)(jiao)流壓降。

2、電檢測(ce)和過(guo)電流(liu)檢測(ce)繼電器電流(liu)與設(she)定(ding)(ding)值(zhi)進(jin)行比較(jiao)，當取樣電流(liu)超過(guo)設(she)定(ding)(ding)值(zhi)時，比較(jiao)器輸出信號使所述相(xiang)移(yi)角增加以減小(xiao)電流(liu)或拉逆變器相(xiang)比較(jiao)。有時一定(ding)(ding)要停止。

3、直流(liu)快(kuai)(kuai)速(su)開(kai)(kai)關對于(yu)變流(liu)裝置功(gong)率大(da)且(qie)短路可能性較多的場合，可采用動作時間只(zhi)有2ms的直流(liu)快(kuai)(kuai)速(su)開(kai)(kai)關，它可以(yi)(yi)先于(yu)快(kuai)(kuai)速(su)熔(rong)斷器斷開(kai)(kai)，從(cong)而保護了可控硅模(mo)塊(kuai)，但價(jia)格昂貴所以(yi)(yi)使(shi)用不多。

4、可控硅調光模塊將快(kuai)速熔(rong)(rong)(rong)斷器(qi)(qi)(qi)與(yu)普通熔(rong)(rong)(rong)斷器(qi)(qi)(qi)進行對比(bi)，快(kuai)速熔(rong)(rong)(rong)斷器(qi)(qi)(qi)是專門可(ke)以用來(lai)作(zuo)為(wei)保護(hu)電(dian)(dian)力半導(dao)體功率控(kong)(kong)制(zhi)器(qi)(qi)(qi)件過(guo)電(dian)(dian)流的元(yuan)件，它具有(you)快(kuai)速熔(rong)(rong)(rong)斷的特性，在流過(guo)6倍額定工作(zuo)電(dian)(dian)流時其熔(rong)(rong)(rong)斷時間成本小于(yu)工頻的一個周期（20ms）。 快(kuai)速熔(rong)(rong)(rong)斷器(qi)(qi)(qi)可(ke)與(yu)交流側，直(zhi)流側或與(yu)可(ke)控(kong)(kong)硅(gui)橋臂串聯，后者直(zhi)接效果更好。通常來(lai)說快(kuai)速熔(rong)(rong)(rong)斷器(qi)(qi)(qi)的額定電(dian)(dian)流（有(you)效值IRD）應小于(yu)保護(hu)可(ke)控(kong)(kong)硅(gui)模(mo)塊額定方均通態電(dian)(dian)流（即(ji)有(you)效值）Itrms即(ji)1.57ITAV，同時要大于(yu)流過(guo)可(ke)控(kong)(kong)硅(gui)的實際通態方均根電(dian)(dian)流（即(ji)有(you)效值）IRMS。

以上就是(shi)可控硅調光(guang)模塊裝置中有可能可以采用(yong)呢(ni)的四種過電流(liu)保護管(guan)理(li)措施。希望通過這篇(pian)文章(zhang)對(dui)您有所幫助。